玉林干式变压器设计后EMI的实际整改策略--传导部分、玉林干式变压器EMI设计与整改策略

玉林干式变压器设计后EMI的实际整改策略--传导部分玉林干式变压器设计后EMI的实际整改策略--传导部分

1MHZ 以内以差模干扰为主
1150KHZ-1MHz，以差模为主，1-5MHz，差模和共模共同起作用，5MHz 以后基本上是共模。差模干扰的分容性藕合和感性藕合。一般1MHZ以上的干扰是共模，低频段是差摸干扰。用一个玉林干式变压器串个电容后再并到Y电容的引脚上，用示波器测玉林干式变压器两引脚的电压可以估测共模干扰；
2保险过后加差模玉林干式变压器或玉林干式变压器；
3小功率玉林干式变压器可采用PI型滤波器处理(建议靠近玉林干式变压器的电解电容可选用较大些)。
4前端的π型EMI零件中差模玉林干式变压器只负责低频EMI，体积別选太大(DR8太大，能用玉林干式变压器型式或DR6更好)否則幅射不好过，必要时可串磁珠，因为高频会直接飞到前端不会跟着线走。
5传导冷机时在0.15-1MHZ超标，热机时就有7DB余量。主要原因是初级BULK电容DF值过大造成的，冷机时ESR比较大，热机时ESR比较小，开关电流在ESR上形成开关电压，它会压在一个电流LN线间流动，这就是差模干扰。解决办法是用ESR低的电解电容或者在两个电解电容之间加一个差模玉林干式变压器。
6测试150KHZ总超标的解决方案：加大X电容看一下能不能下来，如果下来了说明是差模干扰。如果没有太大作用那么是共模干扰，或者把玉林干式变压器线在一个大磁环上绕几圈, 下来了说明是共模干扰。如果干扰曲线后面很好，就减小Y电容，看一下布板是否有问题，或者就在前面加磁环。
7可以加大PFC输入部分的单绕组玉林干式变压器的玉林干式变压器量。
8PWM线路中的元件将主频调到60KHZ左右。
9用一块铜皮紧贴在玉林干式变压器磁芯上。
10共模玉林干式变压器的两边感量不对称，有一边匝数少一匝也可引起传导150KHZ-3MHZ超标。
11一般传导的产生有两个主要的点：200K和20M左右，这几个点也体现了的性能；200K左右主要是漏感产生的尖刺；20M左右主要是开关的噪声。处理不好玉林干式变压器会增加大量的辐射，加屏蔽都没用，辐射过不了。
12将输入BUCK电容改为低内阻的电容。
13对于无Y-CAP玉林干式变压器，绕制玉林干式变压器时先绕初级，再绕辅助绕组并将辅助绕组密绕靠一边，后绕次级。
14将共模玉林干式变压器上并联一个几Ｋ到几十Ｋ玉林干式变压器。
15将共模玉林干式变压器用铜箔屏蔽后接到大电容的地。
16在PCB设计时应将共模玉林干式变压器和玉林干式变压器隔开一点以免互相干扰。
17保险套磁珠。
18三线输入的将两根进线接地的Y电容容量从2.2nF减小到471。
19对于有两级滤波的可将后级0.22uFX电容去掉(有时前后X电容会引起震荡) 。
20对于π型滤波有一个BUCK电容躺倒放在PCB上且靠近玉林干式变压器此电容对传导150KHZ-2MHZ的Ｌ通道有干扰，改良方法是将此电容用铜泊包起来屏蔽接到地，或者用一块小的PCB将此电容与玉林干式变压器和PCB隔开。或者将此电容立起来, 也可以用一个小电容代替。
2112V玉林干式变压器对于π型滤波有一个BUCK电容躺倒放在PCB上且靠近玉林干式变压器此电容对传导150KHZ-2MHZ的Ｌ通道有干扰，改良方法是将此电容用一个1uF/400V或者说0.1uF/400V电容代替, 将另外一个电容加大。
22将共模玉林干式变压器前加一个小的几百uH差模玉林干式变压器。
23将开关管和散热器用一段铜箔包绕起来，并且铜箔两端短接在一起，再用一根铜线连接到地。
24将共模玉林干式变压器用一块铜皮包起来再连接到地。
25将开关管用金属套起来连接到地。
26加大X2电容只能解决150K左右的频段，不能解决20M以上的频段，只有在玉林干式变压器输入加以一级镍锌铁氧体黑色磁环，玉林干式变压器量约50uH-1mH。
27在输入端加大X电容。
28加大输入端共模玉林干式变压器。
29将辅助绕组供电二极管反接到地。
30将辅助绕组供电滤波电容改用瘦长型电解电容或者加大容量。
31加大输入端滤波电容。
32150KHZ-300KHZ和20MHZ-30MHZ这两处传导都不过，可在共模前加一个差模。也可以看看接地是否有问题，该接地的地方一定要加强接牢，主板上的地线一定要理顺，不同的地线之间走线一定要顺畅不要互相交错的。
33在整流桥上并电容，当考虑共模成分时，应该邻角并电容，当考虑差模成分时，应该对角并电容。
34加大输入端差模玉林干式变压器。
1MHZ---5MHZ差模共模混合
采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决。
1对于差模干扰超标可调整X 电容量,添加差模玉林干式变压器器，调差模玉林干式变压器量。
2对于共模干扰超标可添加共模玉林干式变压器,选用合理的玉林干式变压器量来抑制；
3也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107 一对普通整流二极管1N4007。
4对于有Y电容的玉林干式变压器，干扰在1M以前以差模为主，2-5M是差模和共模干扰。对于NO-Y来说，情况不一样，1M以前的共模也非常厉害。在前面加很多X电容，滤光差模，改不改玉林干式变压器对差模没有影响了，如果还有变化，就是共模了。差共模分离的方法：在AC输入端加很多X电容，从小到大，这样可以把差模滤去，剩下的就是共模了，再与总的噪音相比较，就能看出差模的大小。
5绕制玉林干式变压器时将所有同名端放在一边，可降低1.0MHZ-5.0MHZ传导干扰。
6对于小功率用两个差模玉林干式变压器，减少差模玉林干式变压器匝数可降低传导1.2MHZ干扰。
7加大Y电容，可降低传导中段1MHZ-5MHZ干扰。
8对于无Ｙ电容的玉林干式变压器EMI在1MHZ-6MHZ超标，如加了Ｙ电容后EM降下来了的话，就可在玉林干式变压器初次级间加多几层胶纸。
9将MOS管散热片接MOS管S极。
10在输入端滤波电容上并联小容量瓷片或者贴片电容。
5M---20MHZ以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
1对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3 圈会对10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用；
2可选择紧贴玉林干式变压器的铁芯粘铜箔，铜箔要闭环。
3处理后端输出整流管的吸收和初级大并联电容的大小。
4在玉林干式变压器初级绕组上用一根很细的三重绝缘线并绕一个屏蔽绕组，屏蔽绕组的一端接玉林干式变压器端另外一端通过一个电容接到地。
5可将共模玉林干式变压器改为一边匝数比另一边多一匝,另其有差模的作用。
6将开关管D极加一小散热片且必需接端的负极,玉林干式变压器的初级起始端连接到MOS管D极。
7将次级的散热片用一个102的Y电容接到初级的L/N线, 可降低导干扰。
8如果加大Ｙ电容传导干扰下来了，则可以改变玉林干式变压器绕法来改良，可在初次级间加多几层胶带；如果加大Ｙ电容传导干扰未改善，就要改可改好不必改玉林干式变压器绕法。
9将玉林干式变压器量适当加大，可降低RCC玉林干式变压器在半载时的传导干扰。
10用玉林干式变压器次级辅助绕组来屏蔽初级主绕组，比用玉林干式变压器初级辅助绕组来屏蔽初级主绕组，传导整体要好得多。
11传导整体超标，用示波器看开关管G和D极波形都有重叠的现象，光藕供电玉林干式变压器从输出滤波共模玉林干式变压器下穿过接输出正极改接不从大电流下穿过后一切OK。
12在输入端L线和N线各接一681/250V的Y电容，Y电容另外一端接次级地。
13将次级的辅助绕组用来屏蔽初级主绕组，可降低传导3-15MHZ干扰。用次级的辅助绕组来屏蔽初级主绕组，比用初级的辅助绕组来屏蔽初级主绕组传导要好得多。
14在PCB板底层放一层铜片接初级大电容负极。
15将整个玉林干式变压器用一块铜片包起来, 铜片接初级大电容负极。
16减小Y电容容量。
对于20--30MHZ
1对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；
2调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值；
3在玉林干式变压器外面包铜箔，玉林干玉林变压器厂家式变压器最里层加屏蔽层，调整玉林干式变压器的各绕组的排布。
4改变PCB LAYOUT；
5输出线前面接一个双线并绕的小共模玉林干式变压器；
6在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
7在玉林干式变压器与MOSFET之间加磁珠；
8在玉林干式变压器的输入电压脚加一个小电容。
9可以用增大MOS 驱动玉林干式变压器。
10可能是电子负载引起的,可改用玉林干式变压器负载。
11可将MOS管D 端对地接一个101的电容。
12可将输出整流二极管换一个积电容小一点的。
13可将输出整流二极管的RC回路去掉。
14将输入端加两个Y电容对地，可降低传导25MHZ-30MHZ干扰。
15紧贴玉林干式变压器的磁芯上加一铜皮，铜皮连接到地。
16传导后段25MHZ超标可在输出端加共模玉林干式变压器，也可在开关管源极检测玉林干式变压器上套一长的导磁力合适的磁珠。
玉林干式变压器设计后EMI的实际整改策略--辐射部分
30---50MHZ 普遍是MOS 管高速开通关断引起，
1可以用增大MOS 驱动玉林干式变压器；
2RCD 缓冲采用1N4007 慢管；
3VCC 供电电压用1N4007 慢管来解决；
4或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模玉林干式变压器；
5在MOSFET 的D-S 脚并联一个小吸收；
6在玉林干式变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE；
7在玉林干式变压器的输入电压脚加一个小电容；
8PCB 心LAYOUT 时大电解电容，玉林干式变压器，MOS 构成的环尽可能的小；
9玉林干式变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的环尽可能的小。
50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起，
1可以在整流管上串磁珠；
2调整输出整流管的吸收参数；
3可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的玉林干式变压器；
4也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。
5增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.
200MHZ 以上玉林干式变压器已基本辐射量很小，一般可过EMI 标准。

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